Kategorie
»O MercateoVítejte! Přihlásit se
Moje Mercateo
Nákupní košík
 
 

MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23


Množství:  kus  
Informace o produktu
Image
Image
Výrobek č.:
     115CZ-30057567
Výrobce:
     NXP
Č. výrobce:
     BSH201,215
EAN/GTIN:
     žádné údaje
produktový list výrobku
Hledané pojmy:
MOSFET
MOSFET tranzistor
MOSFET tranzistory
MOSFET, Provozní teplota: -55...+150 °C, Polarita: P, Typ krytu: SOT-23, Ztrátový výkon: 417 mW
Další informace:
Gross weight:
0.001 kg
Net weight:
0.001 kg
Country of origin:
PH
Další hledané pojmy: FET, výkonový, Tranzistor, unipolární
Přehled podmínek1
Dodací lhůta
Stav skladu
Cena
od Kč 7,50*
  
Cena platí od 50 kusů
Zobrazit detaily
Doporučit výrobekPoznamenat výrobek
Odstupňované ceny
Množství objednávky
Netto
Brutto
Jednotka
1 kus
Kč 11,32*
Kč 13,70
za kus
od 10 kusů
Kč 8,31*
Kč 10,06
za kus
od 50 kusů
Kč 7,50*
Kč 9,08
za kus
* Ceny s hvězdičkou jsou ceny netto, bez právně platné DPH.
Naše nabídka je orientována výhradně na firmy, živnostníky a samostatně výdělečně činné osoby.
© 1999-2018 Mercateo Česká republika s.r.o